刻蚀技术是SiC器件研制的关键,刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前,SiC刻蚀多采用干法刻蚀,其中电感耦合等离子体(ICP)刻蚀因其低压高密度的特点,具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点,而广泛应用。此外,刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度,以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科,及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案,其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!“中國國際先進陶瓷展”覆盖先進陶瓷全产业链,云集中外杰出企业亮相展会,2025年3月10日上海世博馆见!2025年3月10-12日上海国际先进陶瓷行业论坛

“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观!氧化锆陶瓷因具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优良的性能,应用于各个领域中。常压下纯氧化锆有三种晶型,由于晶型转变产生体积变化,造成开裂。加入适量稳定剂,使氧化锆从高温冷却至室温过程中尽可能多的保留四方相,控制并提高对增韧有贡献的四方到单斜相的有效转变。氧化钇稳定氧化锆由于其综合性能好,成为应用较广的氧化锆材料。有研究表明,Y2O3含量在2.5mol%时抗弯强度好;在2mol%时断裂韧性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化钇稳定氧化锆为原料,制备出综合性能较高的氧化锆陶瓷,并探讨成型和烧结工艺对氧化锆陶瓷性能的影响,从而为生产提供理论依据,进而生产出高性能的氧化锆结构陶瓷。2025年3月10至12日中国上海市国际先进陶瓷展会2025年3月10-12日,让我们相聚中國國際先進陶瓷展览会,共同探索先進陶瓷行业的万千可能!
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碳化硅衬底的电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为满足不同芯片功能需求,需制备不同电学性能的碳化硅衬底。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:高电阻率(电阻率≥105Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底,以及低电阻率(电阻率区间为15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓射频器件,通过生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片;导电型碳化硅衬底主要用于制造功率器件,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!诚邀您莅临参观!
“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕,高压烧结有两种方式,第一种为高压成型常压烧结,第二种为高压气氛烧结。1、高压成型常压烧结高压成型常压烧结中,样品在高压下再次加压后,颗粒之间的接触点增加且气孔减少,导致烧结前坯体的相对密度明显增加,而陶瓷烧结活性与样品的压坯密度紧密相关,所以烧结温度明显降低。高压成型常压烧结使烧结温度降低了至少200℃(无压烧结温度一般高于1200℃)。2、高压气氛烧结高压气氛烧结中,高压能够明显增加陶瓷致密的驱动力,并且由于成核势垒的降低使成核速率增加,扩散能力的降低使生长速率减小。高压气氛烧结被认为是一种比较理想的得到致密细晶陶瓷的方法,而常压烧结无法得到纳米陶瓷。晶粒尺寸对BaTiO3的晶体结构和铁电性有很大的影响,随着晶粒尺寸的减小,在BaTiO3陶瓷中会出现多相共存和铁电性消失的现象。近年来,随着微电子和通讯的发展,需要铁电组件的小型化和集成化,很有必要获得细晶陶瓷以便得到比较好的电学性能。但是此方法的缺点为需要能够耐高压的模具,工艺较复杂,较难操作。“中國國際先進陶瓷展”多方位展示企业智造实力,搭建行业共享共赢的商贸平台,2025年3月10-12日上海见!
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在半导体制造领域,增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片,随着晶圆尺寸增加,边缘管芯(Die)数量占比缩小,晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算,一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片,是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍;边缘管芯占比下降到7%,大幅度提高晶圆利用率,将进一步降低碳化硅芯片单位成本。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!诚邀您莅临参观!“2025中國國際先進陶瓷展”为行业精英提供学术研究与应用实践的融合平台,2025年3月10日上海见!华东区国际先进陶瓷粉末冶金展览会
赋能前沿智造,智领行业未来,“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10日上海共创无限商机!2025年3月10-12日上海国际先进陶瓷行业论坛
先進陶瓷又称高性能陶瓷、精细陶瓷、高技术陶瓷等,是指采用高纯度、超细人工合成或精选的无机化合物为原料,具有优异的力学、声、光、热、电、生物等特性的陶瓷。先進陶瓷在原料、工艺方面有别于传统陶瓷,特定的精细结构使其具有gao强、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、绝缘、超导、生物相容等一系列優点,被广泛应用于國防、化工、冶金、电子、机械、航空、航天、生物医学等领域。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!2025年3月10-12日上海国际先进陶瓷行业论坛
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